Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R1K2P7XKSA1
IPA80R1K2P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA80R1K2P7XKSA1, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.5A sürekli dren akımı ve 25W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 1.2Ω maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri, enerji dönüşüm sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok