Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA80R1K0CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R1K0CEXKSA2 Hakkında
IPA80R1K0CEXKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO220-FP paketinde sunulan bu bileşen, 5.7A sürekli dren akımı kapasitesine ve 950mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 31nC gate charge ve 785pF input kapasitansı ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan switching regülatörleri, inverterleri, motor kontrol devrelerini ve güç dönüştürme sistemlerini destekler. 10V drive voltage ile standard kontrol devresi uyumluluğu vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok