Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA70R750P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA70R750P7

IPA70R750P7SXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA70R750P7SXKSA1, 700V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 750mΩ maksimum on-direnç (RDS on) değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ~ 150°C) çalışabilen bu MOSFET, güç anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 8.3nC gate charge ve 306pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 21.2W güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 306 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 21.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok