Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA70R600P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA70R600P7

IPA70R600P7SXKSA1 Hakkında

IPA70R600P7SXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 600mΩ on-state direnç değeri ve 10.5nC gate charge karakteristiği ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±16V maximum gate-source voltaj ve 3.5V threshold voltajı ile hızlı ve kontrollü anahtarlama özelliği sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 364 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok