Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R660CFDXKSA2
MOSFET N-CH 700V 6A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R660CFDK
IPA65R660CFDXKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R660CFDXKSA2, 700V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 660mΩ on-state direnci (RDS(On)) ile enerji kaybı minimize edilmiş şekilde tasarlanmıştır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. 22nC gate charge ve 615pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç dönüştürücüler, SMPS devreleri, inverter ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok