Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R660CFDXKSA1
IPA65R660CFDXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R660CFDXKSA1, 650V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 6A sürekli drain akımı ve 660mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesi ile geleneksel pinout düzenini takip eden bu bileşen, anahtarlama frekansı gerektiren endüstriyel, otomotiv ve tüketici uygulamalarında yer alır. 22nC gate charge ve 615pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama davranışı sergiler. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Üretim parçasının yeni tasarımlarda kullanılması tavsiye edilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok