Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R650CE
IPA65R650CEXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R650CEXKSA1, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen cihaz, ±20V maksimum gate voltajı ve 650mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), UPS sistemleri ve elektrik dönüştürücülerde uygulama bulur. 23nC gate charge ve 440pF input kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok