Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R600E6
IPA65R600E6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R600E6XKSA1, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel Power MOSFET'tir. 7.3A sürekli drain akımı kapasitesi ve 600mΩ on-state direnci ile verimli anahtar işlemi sağlar. TO-220-FP paketlemesi ile monte edilmiş olup, güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri, elektrik motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. 28W maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok