Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA65R420CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA65R420CFDA

IPA65R420CFDXKSA2 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R420CFDXKSA2, 650V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8.7A sürekli dren akımı ve 420mΩ maksimum RDS(on) değeriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate voltaj toleransı ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığı ile çeşitli ortamlarda güvenilir performans sağlar. 31.5nC gate charge ve düşük input capacitance değerleri hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 31.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok