Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R400CE
IPA65R400CEXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R400CEXKSA1, 650V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile üretilen bu bileşen, 15.1A sürekli dren akımı kapasitesine ve 400mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor sürücü aplikasyonlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 31W maksimum güç harcaması ile güvenilir performans sağlar. 39nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok