Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R380E6
IPA65R380E6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R380E6XKSA1, 650V drain-source gerilimi ve 10.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, 380mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 39nC gate charge ve 710pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. 31W maksimum güç dağılım kapasitesi ve -55°C ~ +150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve telekomünikasyon güç kaynakları, motor kontrol ve enerji dönüştürme devrelerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok