Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R380C6
IPA65R380C6XKSA1 Hakkında
IPA65R380C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 10.6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 380mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç kaynakları, invertörler, şarj cihazları ve endüstriyel denetim uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. Gate gerilimi ±20V aralığında kontrol edilebilen bileşen, 31W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde düşük kanal direnci ve minimal enerji kaybı ile çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok