Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R310CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R310CFD
IPA65R310CFDXKSA1 Hakkında
IPA65R310CFDXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim kapasitesi ve 11.4A sürekli drain akımı ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverterler ve elektrik yönetim sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapabilir. 310mΩ maksimum Ron değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş olup yeni tasarımlar için kullanılması önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok