Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R280E6
IPA65R280E6XKSA1 Hakkında
IPA65R280E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 13.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, invertörler ve diğer DC/DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 32W maksimum güç tüketim kapasitesiyle termik yönetimi kolaylıkla yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok