Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R225C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R225C7
IPA65R225C7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R225C7XKSA1, 650V dayanım gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmış N-kanallı MOSFET transistördür. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, 225mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynağı devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V gate gerilimi ile kontrol edilebilen bu transistör, hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli enerji dönüşümü gerektiren sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 996 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok