Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R1K5CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R1K5CEXKSA1
IPA65R1K5CEXKSA1 Hakkında
IPA65R1K5CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Super Junction N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 5.2A sürekli dren akımı ve 1.5Ω (@ 1A, 10V) maksimum Rds On değeri ile tasarlanmıştır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-40°C ~ 150°C) ve düşük gate charge (10.5 nC) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunan bu bileşen, güç yönetimi, LED sürücüleri, PWM kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok