Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R1K0CE
IPA65R1K0CEXKSA1 Hakkında
IPA65R1K0CEXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Super Junction N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 7.2A sürekli drain akımı kapasitesine ve 1Ohm (10V, 1.5A) maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Gate charge değeri 15.3nC ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen cihaz, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar. Yüksek voltajlı güç dönüştürme uygulamalarında, anahtar modlu güç kaynakları (SMPS), DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok