Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R190E6
IPA65R190E6XKSA1 Hakkında
IPA65R190E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 650V Drain-Source gerilimi ve 20.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 190mΩ (10V, 7.3A'de) Ron değeri ile düşük konuksiyon kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve motorlu kontrol devreleri gibi endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 34W güç dağıtabilir. Vgs(th) değeri 3.5V (730µA'de) olup, 73nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok