Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R190C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R190C7
IPA65R190C7XKSA1 Hakkında
IPA65R190C7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket içinde gelen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve elektrik dönüştürücü uygulamalarında sıklıkla yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 190mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uyguntur. 30W maksimum güç tüketimi ile sınırlı soğutma gereksinimi olan tasarımlarda tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 290µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok