Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R150CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R150C
IPA65R150CFDXKSA2 Hakkında
IPA65R150CFDXKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 22.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket formatında sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 150mΩ maksimum on-dirençine sahiptir. Düşük gate charge (86nC) ve optimize edilmiş giriş kapasitanesi (2340pF) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, switching power supply'ler, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 34.7W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile sınırlı ısı yönetimi gereksinimleri olan tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok