Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R125C7
IPA65R125C7XKSA1 Hakkında
IPA65R125C7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan güç elektronikleri bileşenidir. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, 125mΩ on-state direnci ve 32W maksimum güç dağılımı ile anahtarlama ve motor kontrol devreleri, invertörler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 35nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok