Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R099C6
IPA65R099C6XKSA1 Hakkında
IPA65R099C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 38A sürekli dren akımı ve 99mOhm RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Maksimum 35W güç tüketimi ile anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri 127nC, gating devrelerinin tasarımında önemli bir parametredir. Komponent şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 12.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok