Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R095C7
IPA65R095C7XKSA1 Hakkında
IPA65R095C7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source voltaj derecelendirilmesi ve 12A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 95mOhm maksimum Rds(On) değeri ile güç kaybı minimize edilir. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve değiştiriciler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 34W maksimum güç tüketebilir. 45nC gate charge ve 2140pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2140 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 11.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok