Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA65R045C7
IPA65R045C7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA65R045C7XKSA1, 650V Drain-Source gerilim kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 25°C sıcaklıkta 18A sürekli drain akımı ve 45mOhm maksimum gate-source direnci ile yüksek anahtarlama hızlı uygulamalarda kullanılır. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V drive voltajında 93nC gate charge ve 4340pF input kapasitansı değerlerine sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol sistemleri, AC/DC konverterleri ve anahtarlı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok