Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R950C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R950C6
IPA60R950C6XKSA1 Hakkında
IPA60R950C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 950mΩ maksimum Rds(on) değeri ile minimum enerji kaybı sağlar. TO-220-FP paketindeki bu transistör, sürücü devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç kaynağı tasarımlarında yer bulur. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 26W maksimum güç tüketimi özelliği vardır. Through-hole montaj için uygun olan bu bileşen, gerilim regülatörleri, inverterler ve motor kontrol devrelerinde sıkça tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok