Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R800CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R800C
IPA60R800CEXKSA1 Hakkında
IPA60R800CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 5.6A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, 800mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük kayıp işlemesi sağlar. 10V gate sürücü voltajı ile uyumlu olup, -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 27W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok