Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R750E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R750E6XKSA1
IPA60R750E6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R750E6XKSA1, 600V drenaj-kaynak geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 25°C sıcaklıkta 5.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 750mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, ±20V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilir ve 3.5V eşik geriliminde açılır. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Maximum 27W güç saçma yeteneği ile endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında, şalter devreler, invertörler ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. 17.2nC gate charge ve 373pF input kapasitansı özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun bir tasarıma sahiptir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok