Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R650CEE8210XKSA1
MOSFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R650CEE
IPA60R650CEE8210XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R650CEE8210XKSA1, 600V drain-source gerilimi ve 9.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipi ile sağlanan bu komponent, 650mΩ maksimum on-direnci ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 28W maksimum güç disipasyonu ve geniş -40°C~150°C işletme sıcaklık aralığı ile enerji dönüştürme, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 20.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün son tedarik durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok