Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R600P7SXKSA1

MOSFET N-CH 600V 6A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R600P7

IPA60R600P7SXKSA1 Hakkında

IPA60R600P7SXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış olup, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 9nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 80µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok