Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R600P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R600P6
IPA60R600P6XKSA1 Hakkında
IPA60R600P6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 4.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 28W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Gate charge değeri 12nC@10V olup, hızlı anahtarlama özellikleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 557 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok