Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R600E6
IPA60R600E6XKSA1 Hakkında
IPA60R600E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, 7.3A sürekli drenaj akımı ve 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V Vgs dayanımı ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilme kapasitesi sayesinde endüstriyel, otomotiv ve güç dönüştürücü devrelerinde tercih edilir. 28W maksimum güç disipasyonu ve düşük input kapasitesi ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok