Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R600CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R600CPXKSA1

IPA60R600CPXKSA1 Hakkında

IPA60R600CPXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak voltajı (Vdss) ve 6.1A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-FP paket formatında sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel otomasyon sistemlerinde yer bulur. 10V gate sürücü voltajı ile kontrol edilebilen transistör, maksimum 28W güç harcaması ve 600mOhm on-direnç (Rds On) özellikleri ile verimli tasarımları destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 220µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok