Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R520CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R520CPXKSA1

IPA60R520CPXKSA1 Hakkında

IPA60R520CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 600V drain-source gerilimi ve 6.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 520mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 30W maksimum güç dağılımı kabiliyetine sahiptir. Gate charge değeri 31nC olup, 10V gate sürücü geriliminde kullanılmaya uygundur. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switched-mode power supplies (SMPS) ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok