Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R520C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R520C6

IPA60R520C6XKSA1 Hakkında

IPA60R520C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 8.1A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 520mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, SMPS (Switched Mode Power Supply), invertör devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 29W güç tüketim kapasitesi ile güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 512 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 230µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok