Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R460CEXKSA1
IPA60R460CEXKSA1 Hakkında
IPA60R460CEXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel güç MOSFETidir. 600V drain-source gerilimi ve 9.1A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-220-FP paket tipinde sunulan bu bileşen, 460mOhm (10V, 3.4A'da) RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolü ve industriel uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen komponetin maksimum güç tüketimi 30W'tır. 28nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok