Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R450E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R450E6XKSA1

IPA60R450E6XKSA1 Hakkında

IPA60R450E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, 9.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 450mΩ maksimum Rds(On) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. 28nC gate charge ve 620pF input capacitance parametreleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 30W maksimum güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 280µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok