Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R360P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R360P7

IPA60R360P7XKSA1 Hakkında

IPA60R360P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 360mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. TO-220-3 paket tipi ile DIP form faktörüne sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, invertör ve SMPS (Switched Mode Power Supply) tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 140µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok