Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R360CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R360CFD7XKSA1
IPA60R360CFD7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R360CFD7XKSA1, 650V drenaj-kaynak gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 5A sürekli drenaj akımı ve 360mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi sayesinde düşük profilli montaj sağlar ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate şarj 14nC olup 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilir. Anahtarlama uygulamaları, SMPS devreleri, motor kontrolü ve güç dönüştürücüler gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 679 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok