Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R330P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R330P6

IPA60R330P6XKSA1 Hakkında

IPA60R330P6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 330mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, şarj devreleri, endüstriyel kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 32W maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama spektrumuna uygunluğunu gösterir. Gate charge değeri 22nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 370µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok