Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R280P7

IPA60R280P7XKSA1 Hakkında

IPA60R280P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, şarj uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok