Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R280P7SXKSA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R280P7

IPA60R280P7SXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R280P7SXKSA1, 600V ve 12A continuous drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220 paket ile sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak akımı ve verimli performans sağlar. Güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür. -40°C ile 150°C arasında stabil çalışma sağlar ve 24W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok