Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R280P7SE8228XKSA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R280P7

IPA60R280P7SE8228XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R280P7SE8228XKSA1, 600V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımına sahip N-kanallı MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 18nC gate charge ve 761pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok