Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R280E6XKSA1
IPA60R280E6XKSA1 Hakkında
IPA60R280E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 13.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 280mΩ on-state direnci (Rds On) ile enerji kaybını sınırlar. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.5V threshold gerilimi ile hızlı ve güvenilir anahtarlama sağlar. 32W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. TO-220-FP paketinde sunulan transistör, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilir. Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok