Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R280CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R280CFD7XKSA1

IPA60R280CFD7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies IPA60R280CFD7XKSA1, 650V drain-source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 6A sürekli drain akımı sağlamakta ve maksimum 24W güç tüketebilmektedir. 280mOhm (10V, 3.6A) on-state direnci ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışan transistör, Vgs(th) eşik gerilimi maksimum 4.5V'tur. 18nC gate charge ve 807pF input kapasitans özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmektedir. İtme-çek devreler, adaptörler, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 807 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 180µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok