Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R280C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R280C6

IPA60R280C6XKSA1 Hakkında

IPA60R280C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 13.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, 280mΩ maksimum on-state direnç (Rds On) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. 43nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 32W güç harcaması kapasitesine sahip olup, through-hole montajı için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok