Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R1K5CEXKSA1
IPA60R1K5 - 600V, N-CHANNEL POWE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R1K5
IPA60R1K5CEXKSA1 Hakkında
IPA60R1K5CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V, N-Channel Power MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, güç anahtarlaması ve PWM uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 5A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.5Ω maksimum on-state direnç ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-220-3 paketlemesiyle PCB üzerine direkt lehimleme yapılabilen bu transistör, anahtarlayıcı güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok