Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R1K0CEXKSA1
IPA60R1K0CEXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R1K0CEXKSA1, 600V dayanım voltajına sahip N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, 6.8A sürekli dren akımı ve 1Ohm maksimum on-resistance değerleriyle çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve elektrik dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 26W maksimum güç harcaması ile orta güç uygulamaları için uygundur. ±20V Vgs toleransı ve düşük kapasitans değerleriyle hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok