Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R190P6
IPA60R190P6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R190P6XKSA1, 600V dayanım gerilimi ve 20.2A sürekli dren akımı özellikleriyle çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, 190mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük konuş kaybı sağlar. Açılma gerilimi (Vgs) ±20V aralığında ayarlanabilir ve maksimum gate charge değeri 37nC'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan bu transistör, endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Darlington yapısı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µ |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok