Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R190C6
IPA60R190C6XKSA1 Hakkında
IPA60R190C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilimi ve 20.2A sürekli akım kapasitesi ile yüksek gerilim güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 190mΩ (10V, 9.5A'de) on-state direnci ve 63nC gate yükü ile anahtarlama hızı optimizedir. TO-220-3 Full Pack paket tipi ile geleneksel soğutma çözümleriyle entegre edilebilir. Endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve AC/DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Artık üretim dışı (Not For New Designs) statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif seçilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok