Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R180P7SXKSA1

MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R180P7

IPA60R180P7SXKSA1 Hakkında

IPA60R180P7SXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 180mΩ on-state direnci ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 25nC gate charge ve 1081pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 26W güç tüketim kapasitesi ile invertörler, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1081 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 280µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok